AON6407

Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体分立器件

-30V,-85A,单P沟道MOSFET

表面贴装型 P 通道 30 V 32A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）

得捷:
MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN

立创商城:
P沟道 30V 32A

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -67A; 33W; DFN8

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 85A 8-Pin DFN EP T/R

力源芯城:
-30V,-85A,单P沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN

AON6407中文资料参数规格

技术参数

额定功率 33 W

极性 P-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 85A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 3505pF @15VVds

额定功率Max 7.3 W

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 7.3W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AON6407引脚图与封装图

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