AO3407A
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AO3407A中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.4 W
极性 P-CH
耗散功率 1.4 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 5.5 ns
输入电容Ciss 830pF @15VVds
额定功率Max 1.4 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
AO3407A引脚图与封装图 
AO3407A引脚图
AO3407A封装图
AO3407A封装焊盘图
替代型号AO3407A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AO3407A 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： SOT-23 P-CH 30V 4.3A | 当前型号 | -30V,-4.3A,P沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： NDS356AP 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 P-Channel -30V 1.1A 200mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS356AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.1 A, -30 V, 300 mohm, -10 V, -2 V | AO3407A和NDS356AP的区别 |
| 型号： FDN342P 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23/SC-59 P-Channel -20V 2A 62mohms 635pF | 功能相似 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | AO3407A和FDN342P的区别 |