AO4407A
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AO4407A中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2 W
极性 P-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12A
输入电容Ciss 2600pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
耗散功率Max 3.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AO4407A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AO4407A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AO4407A 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： SOIC P-CH 30V 12A | 当前型号 | -30V,-12A,P沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS4435 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 30V 8.8A 20mohms | 功能相似 | P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET | AO4407A和FDS4435的区别 |