AS4C16M16D1A-5TIN中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
存取时间 700 ps
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
电源电压Max 2.7 V
电源电压Min 2.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 66
封装 TSOP-66
外形尺寸
封装 TSOP-66
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
AS4C16M16D1A-5TIN引脚图与封装图
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在线购买AS4C16M16D1A-5TIN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AS4C16M16D1A-5TIN | Alliance Memory 联盟记忆 | AS4C16M16 Series 256Mb 16M x 16 2.7V 200MHz DDR SDRAM - TSOP-66 II | 搜索库存 |
替代型号AS4C16M16D1A-5TIN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AS4C16M16D1A-5TIN 品牌： Alliance Memory 联盟记忆 封装： TSOP-66 | 当前型号 | AS4C16M16 Series 256Mb 16M x 16 2.7V 200MHz DDR SDRAM - TSOP-66 II | 当前型号 |
| 型号： AS4C16M16D1A-5TINTR 品牌： 联盟记忆 封装： TSOP-66 | 完全替代 | IC SDRAM 16M X 16 2.5V 66TSOP | AS4C16M16D1A-5TIN和AS4C16M16D1A-5TINTR的区别 |
| 型号： AS4C16M16D1-5TIN 品牌： 联盟记忆 封装： TSOP | 类似代替 | DDR1 动态 RAM，Alliance Memory高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM。### 动态 RAM | AS4C16M16D1A-5TIN和AS4C16M16D1-5TIN的区别 |