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AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

数据手册.pdf

DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP

SDRAM Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 143MHz 5.4ns 54-FBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA


贸泽:
DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II


AS4C32M16SA-7BIN中文资料参数规格
技术参数

存取时间 5.4 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

AS4C32M16SA-7BIN引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
AS4C32M16SA-7BIN Alliance Memory 联盟记忆 DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP 搜索库存
替代型号AS4C32M16SA-7BIN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: AS4C32M16SA-7BIN

品牌: Alliance Memory 联盟记忆

封装: 54-TFBGA

当前型号

DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP

当前型号

型号: AS4C32M16SA-7BINTR

品牌: 联盟记忆

封装:

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