AS6C2008-55TIN中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3V ~ 3.6V
存取时间 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TFSOP-32
外形尺寸
封装 TFSOP-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
AS6C2008-55TIN引脚图与封装图 
AS6C2008-55TIN引脚图
AS6C2008-55TIN封装图
AS6C2008-55TIN封装焊盘图
在线购买AS6C2008-55TIN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AS6C2008-55TIN | Alliance Memory 联盟记忆 | SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP-I | 搜索库存 |
替代型号AS6C2008-55TIN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AS6C2008-55TIN 品牌： Alliance Memory 联盟记忆 封装： 32-TFSOP | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 32Pin TSOP-I | 当前型号 |
| 型号： AS6C2008-55SIN 品牌： 联盟记忆 封装： 32-SOIC | 类似代替 | AS6C2008 Series 2Mbit 256K x 8 3V 55ns CMOS Static RAM - SOIC-32 | AS6C2008-55TIN和AS6C2008-55SIN的区别 |
| 型号： AS6C2008-55STIN 品牌： 联盟记忆 封装： Shrink 3V | 功能相似 | AS6C2008 系列 2-Mb 256 K x 8 3 V 55 ns CMOS 静态 RAM - TSOP I-32 | AS6C2008-55TIN和AS6C2008-55STIN的区别 |
| 型号： AS6C2008-55BIN 品牌： 联盟记忆 封装： 36-TFBGA | 功能相似 | 静态随机存取存储器 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 | AS6C2008-55TIN和AS6C2008-55BIN的区别 |