制造商型号: | PSMN8R5-100ESQ |
制造商: | Nexperia (安世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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Nexperia(安世) PSMN8R5-100ESQ
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PSMN8R5-100ESQ 中文资料
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PSMN8R5-100ESQ 规格参数
属性
参数值
制造商型号
PSMN8R5-100ESQ
制造商
Nexperia(安世)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
包装
Tube
系列
-
零件状态
Last Time Buy
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
8.5mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
111nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5512pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
263W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
品牌其他型号
PSMN8R5-100ESQ品牌厂家:Nexperia
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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