制造商型号: | SIR106DP-T1-RE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIR106DP-T1-RE3
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SIR106DP-T1-RE3 中文资料
数据手册PDF
SIR106DP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 65.8 A
漏源电阻 6.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42.5 nC
耗散功率 83.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 5.643774 | 16931.32 |
6000 | 5.431584 | 32589.50 |
9000 | 5.251764 | 47265.88 |
品牌其他型号
SIR106DP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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