制造商型号： | DMNH6012SPSQ-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 60V 50A POWERDI |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMNH6012SPSQ-13
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DMNH6012SPSQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMNH6012SPSQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35.2 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
库存： 4263
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 22.228413 | 22.23 |
| 10 | 18.153204 | 181.53 |
| 100 | 14.122168 | 1412.22 |
| 500 | 11.970856 | 5985.43 |
| 1000 | 9.751435 | 9751.44 |
品牌其他型号
DMNH6012SPSQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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