制造商型号： | IXTP4N70X2M |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP4N70X2M
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IXTP4N70X2M 中文资料
数据手册PDF
IXTP4N70X2M 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
商标名 HiPerFET
技术类参数
栅极电压 30 V
配置 Single
下降时间 28 ns
漏极电流 4 A
耗散功率 30 W
漏源电阻 850 mOhms
上升时间 27 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 20 ns
漏源击穿电压 700 V
栅源极阈值电压 2.5 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 X2-Class
安装风格 Through Hole
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
库存： 100
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 46.113922 | 46.11 |
| 10 | 41.473528 | 414.74 |
| 50 | 40.458441 | 2022.92 |
| 100 | 32.337751 | 3233.78 |
| 500 | 27.842368 | 13921.18 |
| 1000 | 24.072047 | 24072.05 |
品牌其他型号
IXTP4N70X2M品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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