制造商型号： | SIR800DP-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIR800DP-T1-GE3
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SIR800DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIR800DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 133 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIR800DP-GE3
单位重量 506.600 mg
库存： 6377
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.547095 | 19.55 |
| 10 | 16.235296 | 162.35 |
| 100 | 12.922249 | 1292.22 |
| 500 | 10.934422 | 5467.21 |
| 1000 | 9.277774 | 9277.77 |
品牌其他型号
SIR800DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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