制造商型号： | SI4896DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SI4896DY-T1-GE3
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SI4896DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4896DY-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 9.5 A
漏源电阻 16.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4896DY-GE3
单位重量 187 mg
库存： 5739
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 21.676341 | 21.68 |
| 10 | 19.480373 | 194.80 |
| 25 | 18.378138 | 459.45 |
| 100 | 14.336137 | 1433.61 |
| 250 | 13.968066 | 3492.02 |
| 500 | 12.129967 | 6064.98 |
| 1000 | 10.292154 | 10292.15 |
品牌其他型号
SI4896DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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