制造商型号: | TSM3N80CZ C0G |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM3N80CZ C0G
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TSM3N80CZ C0G 中文资料
数据手册PDF
TSM3N80CZ C0G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 94 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 41 ns
正向跨导(Min) 3.7 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 106 ns
典型接通延迟时间 48 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存: 988
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 24.341366 | 24.34 |
10 | 21.882518 | 218.83 |
25 | 20.644445 | 516.11 |
100 | 16.103605 | 1610.36 |
250 | 15.691162 | 3922.79 |
500 | 13.62647 | 6813.23 |
品牌其他型号
TSM3N80CZ C0G品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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