制造商型号: | ZVN4306GTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) ZVN4306GTA
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ZVN4306GTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN4306GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.1 A
漏源电阻 330 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 -
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 0.7 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
ZVN4306GTA 引脚图与封装图
ZVN4306GTA引脚图
ZVN4306GTA封装图
ZVN4306GTA封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 4.955289 | 4955.29 |
2000 | 4.624936 | 9249.87 |
品牌其他型号
ZVN4306GTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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