制造商型号： | TSM048NB06LCR RLG |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM048NB06LCR RLG
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TSM048NB06LCR RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM048NB06LCR RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 107 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导（Min） 66 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM048NB06LCR
单位重量 372.608 mg
TSM048NB06LCR RLG 同类别型号
库存： 4908
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 38.921474 | 38.92 |
| 10 | 35.004616 | 350.05 |
| 25 | 33.020238 | 825.51 |
| 100 | 28.13343 | 2813.34 |
| 500 | 23.114662 | 11557.33 |
| 1000 | 19.152084 | 19152.08 |
品牌其他型号
TSM048NB06LCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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