制造商型号： | IXTA1N100P |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA1N100P
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IXTA1N100P 中文资料
数据手册PDF
IXTA1N100P 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 1.2 A
漏源电阻 13 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15.5 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 20 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.41 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 42
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 34.946596 | 34.95 |
| 10 | 31.343854 | 313.44 |
| 100 | 25.196376 | 2519.64 |
| 500 | 20.700875 | 10350.44 |
| 1000 | 17.152174 | 17152.17 |
| 2000 | 15.969274 | 31938.55 |
| 5000 | 15.377824 | 76889.12 |
品牌其他型号
IXTA1N100P品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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