制造商型号: | IXTP80N12T2 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP80N12T2
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IXTP80N12T2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 325 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 14 ns
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 21 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench T2
单位重量 2 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 8.392143 | 8.39 |
10 | 7.233853 | 72.34 |
30 | 6.589144 | 197.67 |
100 | 5.867944 | 586.79 |
500 | 5.540126 | 2770.06 |
品牌其他型号
IXTP80N12T2品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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