制造商型号: | DMN2991UFZ-7B |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0606- |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN2991UFZ-7B
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DMN2991UFZ-7B 中文资料
数据手册PDF
DMN2991UFZ-7B 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 550 mA
漏源电阻 990 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 350 pC
耗散功率 450 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27.6 ns
上升时间 4.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60.6 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 2.516839 | 2.52 |
10 | 1.855128 | 18.55 |
100 | 1.050739 | 105.07 |
500 | 0.695631 | 347.82 |
1000 | 0.53332 | 533.32 |
品牌其他型号
DMN2991UFZ-7B品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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