制造商型号: | FDFMA2P859T |
制造商: | ROCHESTER (罗彻斯特电子) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | P-CHANNEL POWER MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROCHESTER(罗彻斯特电子) FDFMA2P859T
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FDFMA2P859T 中文资料
数据手册PDF
FDFMA2P859T 规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDFMA2P859T
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
P-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
120mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
6nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
435pF @ 10V
FET 功能
Schottky Diode (Isolated)
功率耗散(最大值)
1.4W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
MicroFET 2x2 Thin
封装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥3.089006 总价:¥3089.01 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1000 | 3.089006 | 3089.01 |
品牌其他型号
FDFMA2P859T品牌厂家:ROCHESTER
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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