制造商型号： | DMT69M8LPS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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DIODES(美台) DMT69M8LPS-13
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DMT69M8LPS-13 中文资料
数据手册PDF
DMT69M8LPS-13 规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMT69M8LPS-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
包装
Digi-Reel®
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.2A (Ta), 70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
12mOhm @ 13.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
33.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1925pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W (Ta), 113W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerDI5060-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 19 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥9.125024 总价：￥173.38 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 19 | 9.125024 | 173.38 |
| 20 | 8.728134 | 174.56 |
| 50 | 8.331532 | 416.58 |
| 100 | 7.934785 | 793.48 |
| 300 | 7.934785 | 2380.44 |
| 500 | 7.934785 | 3967.39 |
| 1000 | 7.934785 | 7934.78 |
品牌其他型号
DMT69M8LPS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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