制造商型号： | DMN2011UFDF-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN2011UFDF-7
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DMN2011UFDF-7 中文资料
数据手册PDF
DMN2011UFDF-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
库存： 530
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.233719 | 6.23 |
| 10 | 5.369498 | 53.69 |
| 25 | 5.009643 | 125.24 |
| 100 | 3.720398 | 372.04 |
| 250 | 3.534518 | 883.63 |
| 500 | 2.904913 | 1452.46 |
| 1000 | 2.361022 | 2361.02 |
品牌其他型号
DMN2011UFDF-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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