制造商型号: | ZXMN3A01ZTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN3A01ZTA
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ZXMN3A01ZTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN3A01ZTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 970 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.5 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 52 mg
库存: 16659
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.301571 | 6.30 |
10 | 5.350157 | 53.50 |
100 | 3.995936 | 399.59 |
500 | 3.139666 | 1569.83 |
品牌其他型号
ZXMN3A01ZTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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