制造商型号: | IXTQ130N20T |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTQ130N20T
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IXTQ130N20T 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
耗散功率 830 W
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 18 ns
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench
单位重量 1.600 g
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 30 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥70.289342 总价:¥2108.68 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
30 | 70.289342 | 2108.68 |
品牌其他型号
IXTQ130N20T品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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