制造商型号: | DMP45H21DHE-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFETP-CHAN 450V SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMP45H21DHE-13
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DMP45H21DHE-13 中文资料
数据手册PDF
DMP45H21DHE-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 450 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 21 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 12.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 22 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存: 3539
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 7.464006 | 7.46 |
10 | 6.443926 | 64.44 |
100 | 4.458499 | 445.85 |
500 | 3.725038 | 1862.52 |
1000 | 3.170213 | 3170.21 |
品牌其他型号
DMP45H21DHE-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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