制造商型号: | TSM061NA03CV RGG |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM061NA03CV RGG
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TSM061NA03CV RGG 中文资料
数据手册PDF
TSM061NA03CV RGG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
产品 Rectifiers
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 66 A
漏源电阻 4.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 19.3 nC
耗散功率 44.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.8 ns
正向跨导(Min) 51 S
上升时间 5.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34.4 ns
典型接通延迟时间 11.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 304.151 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥14.456548 总价:¥14.46 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 14.456548 | 14.46 |
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TSM061NA03CV RGG品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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