制造商型号： | SI4774DY-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI4774DY-T1-GE3
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SI4774DY-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI4774DY-T1-GE3 规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4774DY-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
包装
Cut Tape (CT)
系列
SkyFET®, TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1025pF @ 15V
FET 功能
Schottky Diode (Body)
功率耗散（最大值）
5W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TA)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.525342 总价：￥5.53 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.525342 | 5.53 |
| 10 | 4.236095 | 42.36 |
| 25 | 3.887573 | 97.19 |
| 100 | 3.506467 | 350.65 |
| 250 | 3.315205 | 828.80 |
品牌其他型号
SI4774DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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