制造商型号： | DMN2009LSS-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
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客服： | |
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DIODES(美台) DMN2009LSS-13
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DMN2009LSS-13 中文资料
数据手册PDF
DMN2009LSS-13 规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMN2009LSS-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
58.3nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2555pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 44 | 2.222902 | 97.81 |
| 100 | 1.808458 | 180.85 |
| 156 | 1.670281 | 260.56 |
| 312 | 1.519604 | 474.12 |
| 625 | 1.343759 | 839.85 |
品牌其他型号
DMN2009LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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