制造商型号： | DMT6007LFG-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMT6007LFG-7
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DMT6007LFG-7 中文资料
数据手册PDF
DMT6007LFG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
正向跨导（Min） 100 S
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
库存： 22839
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.080612 | 14.08 |
| 10 | 11.576009 | 115.76 |
| 100 | 8.999131 | 899.91 |
| 500 | 7.627954 | 3813.98 |
| 1000 | 6.213662 | 6213.66 |
品牌其他型号
DMT6007LFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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