制造商型号: | IXTY1R6N100D2-TRL |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | IXTY1R6N100D2 TRL |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | mouser digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY1R6N100D2-TRL
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IXTY1R6N100D2-TRL 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
商标 IXYS
技术类参数
栅极电压 20 V
配置 Single
下降时间 41 ns
漏极电流 1.6 A
耗散功率 100 W
漏源电阻 10 Ohms
上升时间 65 ns
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 27 ns
漏源击穿电压 1000 V
栅源极阈值电压 - 4.5 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 Depletion Mode
安装风格 SMD/SMT
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
IXTY1R6N100D2-TRL 同类别型号
库存: 147
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 42.040912 | 42.04 |
10 | 37.687161 | 376.87 |
25 | 35.646339 | 891.16 |
100 | 30.884424 | 3088.44 |
500 | 26.258564 | 13129.28 |
1000 | 21.632702 | 21632.70 |
2500 | 20.952429 | 52381.07 |
品牌其他型号
IXTY1R6N100D2-TRL品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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