制造商型号： | IXTT6N120 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTT6N120
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IXTT6N120 中文资料
数据手册PDF
IXTT6N120 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IXTT6N120
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
包装
Tube
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.6Ohm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
56nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1950pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
库存： 30
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 118.494268 | 118.49 |
| 10 | 107.064946 | 1070.65 |
| 25 | 102.080525 | 2552.01 |
| 100 | 84.651119 | 8465.11 |
| 250 | 79.671641 | 19917.91 |
| 500 | 74.692163 | 37346.08 |
| 1000 | 67.222946 | 67222.95 |
| 2500 | 64.733208 | 161833.02 |
| 5000 | 61.247574 | 306237.87 |
品牌其他型号
IXTT6N120品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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