制造商型号： | IXTH110N10L2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTH110N10L2
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IXTH110N10L2 中文资料
数据手册PDF
IXTH110N10L2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 260 nC
耗散功率 600 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导（Min） 45 S
上升时间 130 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 99 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 113.535425 | 113.54 |
| 10 | 104.346872 | 1043.47 |
| 100 | 88.12857 | 8812.86 |
| 500 | 78.396352 | 39198.18 |
品牌其他型号
IXTH110N10L2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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