制造商型号： | ZVNL120GTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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DIODES(美台) ZVNL120GTA
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ZVNL120GTA 中文资料
数据手册PDF
ZVNL120GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 320 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥11.600837 总价：￥11.60 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.600837 | 11.60 |
| 10 | 10.227677 | 102.28 |
| 100 | 7.842403 | 784.24 |
| 500 | 6.199819 | 3099.91 |
品牌其他型号
ZVNL120GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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