制造商型号： | TSM60NB099PW C1G |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM60NB099PW C1G
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TSM60NB099PW C1G 中文资料
数据手册PDF
TSM60NB099PW C1G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 86 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 329 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB099PW
单位重量 6 g
TSM60NB099PW C1G 同类别型号
库存： 2059
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 91.681696 | 91.68 |
| 10 | 82.859495 | 828.59 |
| 25 | 79.004416 | 1975.11 |
| 100 | 65.51658 | 6551.66 |
| 250 | 61.662488 | 15415.62 |
| 500 | 57.808645 | 28904.32 |
| 1000 | 52.027757 | 52027.76 |
| 2500 | 50.10071 | 125251.77 |
| 5000 | 47.403019 | 237015.10 |
品牌其他型号
TSM60NB099PW C1G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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