制造商型号： | SIHP22N60AE-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多SIHP22N60AE-GE3价格库存等采购信息！ |
SILICONIX(威世) SIHP22N60AE-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
SIHP22N60AE-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP22N60AE-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 156 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 19 ns
外形参数
高度 15.49 mm
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP22N60AE-BE3
单位重量 2 g
SIHP22N60AE-GE3 同类别型号
库存： 877
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 50.578131 | 50.58 |
| 10 | 45.491982 | 454.92 |
| 25 | 43.001329 | 1075.03 |
| 100 | 34.401629 | 3440.16 |
| 250 | 32.490712 | 8122.68 |
| 500 | 30.579226 | 15289.61 |
品牌其他型号
SIHP22N60AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHP22N60AE-GE3、查询SIHP22N60AE-GE3代理商； SIHP22N60AE-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHP22N60AE-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
SIHP22N60AE-GE3替代型号
、
SIHP22N60AE-GE3数据手册PDF。