制造商型号： | IXFQ120N25X3 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFQ120N25X3
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IXFQ120N25X3 中文资料
数据手册PDF
IXFQ120N25X3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 122 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 54 S
上升时间 32 ns
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 29 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存： 66
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 111.698454 | 111.70 |
| 10 | 100.948714 | 1009.49 |
| 25 | 96.253424 | 2406.34 |
| 100 | 79.819913 | 7981.99 |
| 250 | 75.124624 | 18781.16 |
| 500 | 70.429334 | 35214.67 |
| 1000 | 63.386401 | 63386.40 |
品牌其他型号
IXFQ120N25X3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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