制造商型号： | SIHB180N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH D2PAK TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHB180N60E-GE3
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SIHB180N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHB180N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导（Min） 5.3 S
上升时间 49 ns
晶体管类型 1 N-Channel E-Series Power MOSFET
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB180N60E-GE3 同类别型号
库存： 1020
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 39.786396 | 39.79 |
| 10 | 35.73362 | 357.34 |
| 25 | 33.776426 | 844.41 |
| 100 | 27.022624 | 2702.26 |
| 250 | 25.521614 | 6380.40 |
| 500 | 24.02011 | 12010.06 |
| 1000 | 20.567219 | 20567.22 |
| 2500 | 20.266968 | 50667.42 |
| 5000 | 18.46546 | 92327.30 |
品牌其他型号
SIHB180N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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