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ROCHESTER(罗彻斯特电子) HAT2165N-EL-E

ROCHESTER(罗彻斯特电子) HAT2165N-EL-E
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

HAT2165N-EL-E

制造商:

ROCHESTER (罗彻斯特电子)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

POWER, 55A, 30V, N-CH MOSFET

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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HAT2165N-EL-E 中文资料

HAT2165N-EL-E 规格参数

属性
参数值

制造商型号

HAT2165N-EL-E

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

POWER, 55A, 30V, N-CH MOSFET

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

55A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

3.6mOhm @ 27.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

33nC @ 4.5V

Vgs(最大值)

-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

5.18pF @ 10V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

30W (Tc)

工作温度

150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

8-LFPAK-iV

封装/外壳

8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

库存: 2365

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

157 个

整装:

¥10
单价:¥23.205571 总价:¥3643.27
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
157 23.205571 3643.27
品牌其他型号
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