制造商型号： | IXFP36N20X3M |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFP36N20X3M
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IXFP36N20X3M 中文资料
数据手册PDF
IXFP36N20X3M 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 30 ns
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 222
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 57.579054 | 57.58 |
| 10 | 51.771725 | 517.72 |
| 100 | 42.413276 | 4241.33 |
| 500 | 36.106022 | 18053.01 |
| 1000 | 30.450918 | 30450.92 |
| 2000 | 29.66001 | 59320.02 |
品牌其他型号
IXFP36N20X3M品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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