制造商型号： | DMTH6010SK3Q-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 60V 16.3A TO252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMTH6010SK3Q-13
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DMTH6010SK3Q-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH6010SK3Q-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16.3 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38.1 nC
耗散功率 59 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
库存： 2324
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.679212 | 14.68 |
| 10 | 12.00461 | 120.05 |
| 100 | 9.332496 | 933.25 |
| 500 | 7.910353 | 3955.18 |
| 1000 | 6.443802 | 6443.80 |
品牌其他型号
DMTH6010SK3Q-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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