制造商型号: | DMG3N60SJ3 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMG3N60SJ3
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DMG3N60SJ3 中文资料
数据手册PDF
DMG3N60SJ3 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.8 A
漏源电阻 3.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 12.6 nC
耗散功率 41 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 10.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
品牌其他型号
DMG3N60SJ3品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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