制造商型号: | IXTA180N10T-TRL |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA180N10T-TRL
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IXTA180N10T-TRL 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 Trench
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 6.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 151 nC
耗散功率 480 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 54 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 42 ns
典型接通延迟时间 33 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存: 800
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
800 | 43.999924 | 35199.94 |
1600 | 37.675 | 60280.00 |
2400 | 35.47501 | 85140.02 |
品牌其他型号
IXTA180N10T-TRL品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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