制造商型号： | IXTK102N65X2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTK102N65X2
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IXTK102N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXTK102N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 102 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 152 nC
耗散功率 1.04 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导（Min） 50 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 67 ns
典型接通延迟时间 37 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 10 g
库存： 5
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 225.991614 | 225.99 |
| 10 | 207.729416 | 2077.29 |
| 100 | 175.438192 | 17543.82 |
| 500 | 156.064447 | 78032.22 |
| 1000 | 146.769137 | 146769.14 |
品牌其他型号
IXTK102N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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