制造商型号： | PMXB360ENEAZ |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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Nexperia(安世) PMXB360ENEAZ
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PMXB360ENEAZ 中文资料
数据手册PDF
PMXB360ENEAZ 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 1.1 A
漏源电阻 345 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 3.2 S
上升时间 3.5 ns
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 934067475147
单位重量 1.200 mg
库存： 2223
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.30771 | 5.31 |
| 10 | 4.259113 | 42.59 |
| 100 | 2.899822 | 289.98 |
| 500 | 2.174609 | 1087.30 |
| 1000 | 1.631021 | 1631.02 |
| 2000 | 1.495092 | 2990.18 |
品牌其他型号
PMXB360ENEAZ品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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