制造商型号： | IXTA8N65X2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTA8N65X2
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IXTA8N65X2 中文资料
数据手册PDF
IXTA8N65X2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导（Min） 4.8 S
上升时间 28 ns
典型关闭延迟时间 53 ns
典型接通延迟时间 24 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 4500
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 24.30018 | 24.30 |
| 10 | 21.828976 | 218.29 |
| 25 | 20.593373 | 514.83 |
| 100 | 16.06283 | 1606.28 |
| 250 | 15.650963 | 3912.74 |
| 500 | 13.591626 | 6795.81 |
| 1000 | 11.532289 | 11532.29 |
| 2500 | 11.367541 | 28418.85 |
| 5000 | 10.543807 | 52719.03 |
品牌其他型号
IXTA8N65X2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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