制造商型号： | SIHP6N80E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHP6N80E-GE3
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SIHP6N80E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHP6N80E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 820 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP6N80E-BE3
单位重量 2 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥32.868701 总价：￥32.87 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 32.868701 | 32.87 |
| 10 | 29.553495 | 295.53 |
| 25 | 27.876059 | 696.90 |
| 100 | 21.742929 | 2174.29 |
| 250 | 21.185012 | 5296.25 |
| 500 | 18.397405 | 9198.70 |
| 1000 | 15.6098 | 15609.80 |
| 2500 | 15.386803 | 38467.01 |
| 5000 | 14.271817 | 71359.09 |
品牌其他型号
SIHP6N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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