制造商型号： | SIHD690N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650 V DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIHD690N60E-GE3
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SIHD690N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHD690N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.4 A
漏源电阻 700 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 1.2 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 3000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 19.275397 | 19.28 |
| 10 | 17.199584 | 172.00 |
| 25 | 16.329721 | 408.24 |
| 100 | 12.247291 | 1224.73 |
| 250 | 12.13065 | 3032.66 |
| 500 | 10.381037 | 5190.52 |
| 1000 | 8.456462 | 8456.46 |
| 2500 | 8.339822 | 20849.56 |
| 5000 | 7.581656 | 37908.28 |
品牌其他型号
SIHD690N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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