制造商型号： | IXTY1R4N120PHV |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTY1R4N120PHV
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IXTY1R4N120PHV 中文资料
数据手册PDF
IXTY1R4N120PHV 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 Polar
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 13 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 24.8 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导（Min） 0.8 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 78 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Polar
单位重量 330 mg
IXTY1R4N120PHV 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 2500 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥24.613307 总价：￥61533.27 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 24.613307 | 61533.27 |
品牌其他型号
IXTY1R4N120PHV品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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