制造商型号: | RCD075N19TL |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ROHM(罗姆) RCD075N19TL
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RCD075N19TL 中文资料
数据手册PDF
RCD075N19TL 规格参数
属性
参数值
制造商型号
RCD075N19TL
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
190V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
336mOhm @ 3.8A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
850mW (Ta), 20W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存: 1
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.301567 | 13.30 |
品牌其他型号
RCD075N19TL品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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