制造商型号： | DMT10H009LCG-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET BVDSS: 61V-100V V-DFN3333 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMT10H009LCG-7
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DMT10H009LCG-7 中文资料
数据手册PDF
DMT10H009LCG-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 47 A
漏源电阻 12.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 20.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.9 ns
上升时间 10.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28.3 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2000 | 3.581974 | 7163.95 |
品牌其他型号
DMT10H009LCG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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