制造商型号： | RCD051N20TL |
制造商： | ROHM (罗姆) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ROHM(罗姆) RCD051N20TL
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RCD051N20TL 中文资料
数据手册PDF
RCD051N20TL 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 540 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.25 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 1.3 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RCD051N20
单位重量 330 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 1.584906 | 3962.26 |
品牌其他型号
RCD051N20TL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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